скорость поверхностной рекомбинации носителей заряда полупроводника

скорость поверхностной рекомбинации носителей заряда полупроводника

 

скорость поверхностной рекомбинации носителей заряда полупроводника
скорость поверхностной рекомбинации
Отношение плотности потока носителей заряда, рекомбинировавших на поверхности полупроводника, к концентрации избыточных носителей заряда у поверхности.
[ГОСТ 22622-77]

Тематики

  • материалы полупроводниковые

Синонимы

  • скорость поверхностной рекомбинации


Справочник технического переводчика. – Интент. 2009-2013.

Игры ⚽ Поможем написать курсовую

Смотреть что такое "скорость поверхностной рекомбинации носителей заряда полупроводника" в других словарях:

  • Скорость поверхностной рекомбинации носителей заряда полупроводника — 38. Скорость поверхностной рекомбинации носителей заряда полупроводника Скорость поверхностной рекомбинации Отношение плотности потока носителей заряда, рекомбинировавших на поверхности полупроводника, к концентрации избыточных носителей заряда у …   Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации

  • скорость поверхностной рекомбинации носителей заряда — Отношение плотности потока носителей заряда на поверхность полупроводника к избыточной концентрации их у поверхности. Примечание. Данный термин следует отличать от термина скорость рекомбинации , под которым понимается скорость уменьшения… …   Политехнический терминологический толковый словарь

  • скорость — 05.01.18 скорость (обработки) [rate]: Число радиочастотных меток, обрабатываемых за единицу времени, включая модулированный и постоянный сигнал. Примечание Предполагается возможность обработки как движущегося, так и неподвижного множества… …   Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации

  • ГОСТ 22622-77: Материалы полупроводниковые. Термины и определения основных электрофизических параметров — Терминология ГОСТ 22622 77: Материалы полупроводниковые. Термины и определения основных электрофизических параметров оригинал документа: 11. Акцептор Дефект решетки, способный при возбуждении захватывать электрон из валентной зоны Определения… …   Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации

  • ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДЕТЕКТОР — прибор для регистрации ч ц, осн. элементом к рого явл. кристалл полупроводника. Регистрируемая ч ца, проникая в кристалл, генерирует в нём дополнит. (неравновесные) электронно дырочные пары. Носители заряда (электроны и дырки) под действием… …   Физическая энциклопедия

  • ФОТОМАГНИТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ЭФФЕКТ — (фотоэлектромагнитный эффект, Кикоина Носкова эффект) возникновение электрич. поля в полупроводнике, помещённом в магн. поле, при освещении его сильно поглощаемым светом. Если на полупроводник падает свет, частота к рого со соответствует собств.… …   Физическая энциклопедия

  • ЦИКЛОТРОННЫЙ РЕЗОНАНС — избирательное поглощение или отражение электромагн. волн проводниками, помещёнными в постоянное магн. поле, на частотах, равных или кратных циклотронной частоте носителей заряда. В пост. магн. поле Н заряженные ч цы движутся по спиралям, оси… …   Физическая энциклопедия

  • АКУСТОМАГНИТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ЭФФЕКТ — возникновение поперечной эдс под действием УЗ волны в твёрдом проводнике, помещённом в магн. поле. А. э. обусловлен увлечением носителей заряда УЗ волной (см. Акустоэлектрический эффект )и отклонением потоков носителей заряда магн. полем. При… …   Физическая энциклопедия


Поделиться ссылкой на выделенное

Прямая ссылка:
… Нажмите правой клавишей мыши и выберите «Копировать ссылку»